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本装置主要用于处理半导体工艺制程(Dry Etch、Thin Film)中产生的有害气体,采用国际领先的Thermal plasma+wet技术,对有害废气进行超高温加热,有效分解有害气体,尤其是对卤化物气体处理效率非常高,并且安全系数高。


本装置能够妥善处理半导体、面板行业所使用的特殊气体(NF3 NH3 SiH4 N2O BCI3 C2F6 SF6等),维修保养频率低,时间短,运行费用低。



  • 自主研发Thermal plasma技术,温度可达3000℃,完全分解毒性化学物质,不产生二噁英;

  • 快速点火,轻量;

  • 精密的合金燃烧器,寿命长,成本低;

  • 反应室内腔具有耐热和耐腐蚀特点,不含碳元素,耐卤化烃腐蚀;

  • 设有冷却段和喷淋段,双重过滤,提高净化效率,去除水溶性废气。

反应冷却段:CF4+2H2O→CO2+4HF       

                      C2F6+4H2O→6HF+2CO2+H2

                      NF3+3/2H2O→3HF+1/2NO+1/2NO2   

                      SF6+3H2O→SO3+6HF


喷淋段:NO2+H2O→H2NO3

         

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Thermal plasma处理废气优势


高能量密度、高温,反应速度快,反应器体积小;

热梯度大,激冷速度快,减少污染物变化;

可处理多种气体;

快速达到热能稳定状态,启动迅速;

无需热源、无需燃料,只需要电能。

二维码
 
 
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