本装置主要用于处理半导体工艺制程（Dry Etch、Thin Film）中产生的有害气体，采用国际领先的Thermal plasma+wet技术，对有害废气进行超高温加热，有效分解有害气体，尤其是对卤化物气体处理效率非常高，并且安全系数高。

本装置能够妥善处理半导体、面板行业所使用的特殊气体（NF₃ NH₃ SiH₄ N₂O BCI₃ C₂F₆ SF₆等），维修保养频率低，时间短，运行费用低。

• 自主研发Thermal plasma技术，温度可达3000℃，完全分解毒性化学物质，不产生二噁英；

• 快速点火，轻量；

• 精密的合金燃烧器，寿命长，成本低；

• 反应室内腔具有耐热和耐腐蚀特点，不含碳元素，耐卤化烃腐蚀；

• 设有冷却段和喷淋段，双重过滤，提高净化效率，去除水溶性废气。

反应冷却段：CF₄+2H₂O→CO₂+4HF       

                      C₂F₆+4H₂O→6HF+2CO₂+H₂

                      NF₃+3/2H₂O→3HF+1/2NO+1/2NO₂   

                      SF₆+3H₂O→SO₃+6HF

喷淋段：NO₂+H₂O→H₂NO₃

Thermal plasma处理废气优势

高能量密度、高温，反应速度快，反应器体积小；

热梯度大，激冷速度快，减少污染物变化；

可处理多种气体；

快速达到热能稳定状态，启动迅速；

无需热源、无需燃料，只需要电能。