半导体行业废气治理解决方案

项目背景:此项目位于江西省南昌市,是天津诺思在南昌投资新建的半导体Fab,在光刻和蚀刻过程中产生大量挥发性有机废气,包括PGME、PGMEA等成分,处理风量45000m³/hr,排放浓度为300mg/m³。

治理工艺:沸石转轮+TO

浓缩倍数:15倍

设计方案:该项目采用沸石转轮浓缩+直燃式热氧化(TO)的治理方案。废气经主工艺风机输送至沸石转轮,废气中的VOCs被沸石吸附后达标排放至大气中,由脱附风机输送的热气将VOCs从沸石中脱附出来,再由TO风机输送至TO反应器中,被氧化成CO2和H2O,达标排放至大气中。

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验收情况:经过本系统处理后的废气,VOCs的排放浓度及排放速率均能满足天津市《工业企业挥发性有机物排放控制标准》(DB 12/524-2014)表2中电子工业半导体制造行业限值要求,废气净化率可达90%以上,且无二次污染。


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二维码
 
 
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